国产内存迎高端化突破 长鑫科技第五代技术平台量产

　　作为国产内存龙头，长鑫科技9月20日在世界制造业大会上宣布重大突破，第五代DRAM(动态随机存取存储器)技术平台(简称“G5平台”)实现量产，每片晶圆产出裸片数量较上一代提升至少50%，公司还同步展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。

　　长鑫科技披露技术细节显示，G5平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破。

　　在关键工艺方面，G5平台实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。在G5微缩工艺突破背景下，存储密度实现跨越式提升，即每片晶圆产出裸片(8Gb颗粒基准)数量较第四代平台提升至少50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。

　　有业内分析指出，单片晶圆的可用芯片直接决定单位成本。如果晶圆产出裸片数同比增长50%，理论上会带动单位制造成本的可观下降，但还需要进一步关注良率等情况。

　　长鑫科技作为国产DRAM龙头，技术路线上公司采取“跳代研发”的赶超策略，10年间完成了从第一代到第四代工艺技术平台的量产跨越，广泛应用于消费电子、服务器、汽车电子、工业控制等领域，本次宣布第五代技术平台实现量产，实现国产DRAM工艺重要突破。

　　本次大会，长鑫科技同步展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。8月，长鑫科技官宣LPDDR6实现量产。

　　基于新一代平台技术，长鑫科技已经在消费电子终端打破高端高速内存市场由海外原厂巨头把控的局面。

　　日前长鑫科技自主研发的LPDDR6芯片已实现量产商用，首发搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机，成为全球范围内LPDDR6产品首次在旗舰手机端落地商用。该款产品芯片容量为16GB，最高传输速率可达12800Mbps，满足旗舰级智能手机及高性能终端设备对计算能力的需求。另外，“第二代豆包手机”努比亚NaviX Ultra搭载长鑫科技LPDDR5X内存，系国产高速率LPDDR5X芯片首次量产应用。

　　据公司预测，当前高性能、低功耗内存需求持续增长。LPDDR6作为最新一代低功耗高速率产品，未来落地场景将涵盖手机、电脑、智能汽车、边缘服务器、智能穿戴设备和机器人等领域。

　　放眼全球，随着存储巨头产能向HBM(高带宽内存)和服务器DDR5倾斜，通用存储产品线出现结构性空缺，甚至有机构预估DDR5等部分传统DRAM产品利润率反超HBM;而长鑫科技正好拿下这部分结构性市场机遇，在全球存储市场份额迅速攀升。

　　据CFM闪存市场数据，2026年二季度全球DRAM市场规模1470.24亿美元，环比增长55.9%，创历史新高。三星、SK海力士和美光位列前三;长鑫市场份额已逼近10%，排名第四。

　　从市场预测来看，DRAM第三季度有望继续上涨，但涨幅有望收窄。据分析，由于存储原厂与部分服务器客户已锁定长协价格上限，加上非长协以外的价格上涨空间也正逐季缩小，预计三季度原厂DRAM平均销售单价环比继续上涨、增速趋缓，但DRAM销售收入将再创历史新高。

　　文章来源：证券时报