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中国半导体功率器件设计领军者——新洁能今日登陆A股
中国半导体功率器件设计领军者——无锡新洁能股份有限公司在上交所主板正式挂牌上市，本次A股发行价为19.91元/股，发行数量为2530万股，公司专业从事MOSFET（金属—氧化物半导体场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售。公司是专业化垂直分工厂商，芯片主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进行生产，功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成
9月28日，中国半导体功率器件设计领军者——无锡新洁能股份有限公司（股票简称“新洁能”、股票代码“605111”）在上交所主板正式挂牌上市，本次A股发行价为19.91元/股，发行数量为2530万股，保荐机构（主承销商）为平安证券股份有限公司。
连续4年荣膺“中国半导体功率器件十强企业”
新洁能成立于2013年1月，专业从事MOSFET（金属—氧化物半导体场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售。公司是专业化垂直分工厂商，芯片主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进行生产，功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司已初步完成部分先进封装测试生产线的建设，将部分芯片自主封装成品后对外销售。公司产品系列齐全，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。自2016年以来，公司连续4年名列中国半导体行业协会发布的“中国半导体功率器件十强企业”，为国内领先的半导体功率器件设计企业之一。
公司是高新技术企业，且为中国半导体行业协会会员、中国电源学会理事单位。公司亦为江苏半导体行业协会 2017 年度先进会员单位，已建立了江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。公司已获得 2019 年度江苏省科学技术一等奖，并获得 2020 年度国家技术发明奖提名。截至 2020 年 1 月 19 日，公司拥有 97 项专利，其中发明专利 35 项、实用新型 59 项，外观设计 3 项。此外，公司已通过 ISO9001 质量管理体系认证等多项权威认证。
率先掌握超结理论技术，三季报营收与净利双双大幅预增
新洁能基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论，并量产屏蔽栅功率 MOSFET 及超结功率 MOSFET 的企业之一，是国内最早同时拥有沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET 及 IGBT 四大产品平台的本土企业之一。
截至 2020 年 1 月 19 日，公司拥有 97 项专利，其中发明专利 35 项，发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列；公司拥有的该等专利与 MOSFET、IGBT、功率模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。
此外，公司参与在 IEEE等国际知名期刊中发表论文 13 篇，其中 SCI 收录论文 7 篇，不断提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，缩小了与国际一流半导体功率器件企业的技术差距，拉大了与国内同行业竞争者的技术差距。
公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端 MOSFET、IGBT 的研发和产业化，在已推出先进的超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET 和超薄晶圆 IGBT 数款产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司目前亦率先在国内研发基于 12 英寸晶圆片工艺平台的 MOSFET 产品，部分产品已处于小批量风险试产环节。公司还进一步提前布局半导体功率器件最先进的技术领域，开展对 SiC/GaN 宽禁带半导体功率器件的研究探索和产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。
报告期各期（2017年度~2019年度），新洁能分别实现营业收入50,375.98 万元、71,579.03 万元和 77,253.69 万元，净利润分别为 5,189.11 万元、14,141.89 万元和 9,820.95 万元。
值得一提的是，新洁能预计 2020 年 1-9 月营业收入区间为 64,000.00 万元至 65,500.00 万元，同比上涨 18.05%至 20.82%；预计 2020 年1-9 月归属于母公司所有者的净利润区间为 9,200.00 万元至 9,700.00 万元，同比上涨 44.82%至 52.69%。
政策扶持、进口替代！我国半导体分立器件业蕴含巨大发展契机
目前，我国已经成为全球最重要的半导体分立器件制造基地和全球最大的半导体分立器件市场。据中国半导体行业协会统计，2017年我国半导体分立器件市场规模已达到2473.9亿元，2018年我国半导体分立器件全年销售规模为2658.4亿元，较2017年增长7.50%。从技术发展水平来看，目前国内半导体分立器件行业的整体技术水平仍与国际领先水平存在一定的差距。但随着国家鼓励政策的大力扶持、半导体分立器件国产化趋势显现，以及下游应用领域需求增长的拉升，我国半导体分立器件行业蕴含着巨大的发展契机。
据中国半导体行业协会统计，2017年中国半导体分立器件进口金额为281.8亿美元，相较于2014年进口额下降了10.20%。未来，随着国内企业逐步突破行业高端产品的技术瓶颈，我国半导体分立器件对进口的依赖将会进一步减弱，进口替代效应将显著增强。
根据全球知名市场研究机构 IHS 统计数据显示，2016 年、2017 年国内MOSFET 市场份额分别为 22.07 亿美元、26.39 亿美元。新洁能 2016 年、2017 年分别占国内 MOSFET 市场份额比例分别为（年度平均汇率分别为 6.6423、6.7518）2.88%、2.83%，且公司为除英飞凌（Infineon）、安森美（ON Semiconductor）、瑞萨电子（Renesas Electronics）等 9 家外资品牌外的国内排名前茅的 MOSFET研发设计及销售本土企业。根据 IHS、电子工程世界网 Yole 相关数据，2018 年全球 MOSFET 市场份额预计将增长至 76 亿美元，比照 Yole 关于国内功率器件占全球份额约 39%测算，国内 2018 年 MOSFET 市场份额预计将达到 29.64 亿美元，新洁能占国内 MOSFET 市场份额比例达 3.65%。
市场研究机构 IC Insights 指出在各类半导体功率器件组件中，未来增长最强劲的产品将是 MOSFET 与 IGBT 模块。
新洁能本次发行募集资金扣除发行费用后，将主要用于“超低能耗高可靠性半导体功率器件研发升级及产业化项目”“半导体功率器件封装测试生产线建设项目”“碳化硅宽禁带半导体功率器件研发及产业化项目”“研发中心建设项目”及“补充流动资金”。
对于公司的发展战略，新洁能董事长、总经理朱袁正先生在上市路演中表示：作为国内半导体功率器件领先企业，公司将专注于中高端半导体功率器件和模块的研发设计及销售。在保持MOSFET产品技术和市场优势基础上，公司将不断引进各类管理、技术、营销人才，构建高效、现代化的经营管理体系，进一步拓展MOSFET产品、重点深化IGBT产品，成为国内自主创新、技术领先、品质高端的自主品牌的优质企业。同时，公司将进一步加大研发投入，持续整合半导体功率器件封装测试环节垂直产业链，掌控先进半导体功率器件封装产线并布局SiC/GaN（碳化硅/氮化镓）宽禁带半导体功率器件，进一步强化企业核心竞争力，加快发展成为国际一流的半导体功率器件企业。
连续4年荣膺“中国半导体功率器件十强企业”
新洁能成立于2013年1月，专业从事MOSFET（金属—氧化物半导体场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售。公司是专业化垂直分工厂商，芯片主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进行生产，功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司已初步完成部分先进封装测试生产线的建设，将部分芯片自主封装成品后对外销售。公司产品系列齐全，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。自2016年以来，公司连续4年名列中国半导体行业协会发布的“中国半导体功率器件十强企业”，为国内领先的半导体功率器件设计企业之一。
公司是高新技术企业，且为中国半导体行业协会会员、中国电源学会理事单位。公司亦为江苏半导体行业协会 2017 年度先进会员单位，已建立了江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。公司已获得 2019 年度江苏省科学技术一等奖，并获得 2020 年度国家技术发明奖提名。截至 2020 年 1 月 19 日，公司拥有 97 项专利，其中发明专利 35 项、实用新型 59 项，外观设计 3 项。此外，公司已通过 ISO9001 质量管理体系认证等多项权威认证。
率先掌握超结理论技术，三季报营收与净利双双大幅预增
新洁能基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论，并量产屏蔽栅功率 MOSFET 及超结功率 MOSFET 的企业之一，是国内最早同时拥有沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET 及 IGBT 四大产品平台的本土企业之一。
截至 2020 年 1 月 19 日，公司拥有 97 项专利，其中发明专利 35 项，发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列；公司拥有的该等专利与 MOSFET、IGBT、功率模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。
此外，公司参与在 IEEE等国际知名期刊中发表论文 13 篇，其中 SCI 收录论文 7 篇，不断提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，缩小了与国际一流半导体功率器件企业的技术差距，拉大了与国内同行业竞争者的技术差距。
公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端 MOSFET、IGBT 的研发和产业化，在已推出先进的超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET 和超薄晶圆 IGBT 数款产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司目前亦率先在国内研发基于 12 英寸晶圆片工艺平台的 MOSFET 产品，部分产品已处于小批量风险试产环节。公司还进一步提前布局半导体功率器件最先进的技术领域，开展对 SiC/GaN 宽禁带半导体功率器件的研究探索和产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。
报告期各期（2017年度~2019年度），新洁能分别实现营业收入50,375.98 万元、71,579.03 万元和 77,253.69 万元，净利润分别为 5,189.11 万元、14,141.89 万元和 9,820.95 万元。
值得一提的是，新洁能预计 2020 年 1-9 月营业收入区间为 64,000.00 万元至 65,500.00 万元，同比上涨 18.05%至 20.82%；预计 2020 年1-9 月归属于母公司所有者的净利润区间为 9,200.00 万元至 9,700.00 万元，同比上涨 44.82%至 52.69%。
政策扶持、进口替代！我国半导体分立器件业蕴含巨大发展契机
目前，我国已经成为全球最重要的半导体分立器件制造基地和全球最大的半导体分立器件市场。据中国半导体行业协会统计，2017年我国半导体分立器件市场规模已达到2473.9亿元，2018年我国半导体分立器件全年销售规模为2658.4亿元，较2017年增长7.50%。从技术发展水平来看，目前国内半导体分立器件行业的整体技术水平仍与国际领先水平存在一定的差距。但随着国家鼓励政策的大力扶持、半导体分立器件国产化趋势显现，以及下游应用领域需求增长的拉升，我国半导体分立器件行业蕴含着巨大的发展契机。
据中国半导体行业协会统计，2017年中国半导体分立器件进口金额为281.8亿美元，相较于2014年进口额下降了10.20%。未来，随着国内企业逐步突破行业高端产品的技术瓶颈，我国半导体分立器件对进口的依赖将会进一步减弱，进口替代效应将显著增强。
根据全球知名市场研究机构 IHS 统计数据显示，2016 年、2017 年国内MOSFET 市场份额分别为 22.07 亿美元、26.39 亿美元。新洁能 2016 年、2017 年分别占国内 MOSFET 市场份额比例分别为（年度平均汇率分别为 6.6423、6.7518）2.88%、2.83%，且公司为除英飞凌（Infineon）、安森美（ON Semiconductor）、瑞萨电子（Renesas Electronics）等 9 家外资品牌外的国内排名前茅的 MOSFET研发设计及销售本土企业。根据 IHS、电子工程世界网 Yole 相关数据，2018 年全球 MOSFET 市场份额预计将增长至 76 亿美元，比照 Yole 关于国内功率器件占全球份额约 39%测算，国内 2018 年 MOSFET 市场份额预计将达到 29.64 亿美元，新洁能占国内 MOSFET 市场份额比例达 3.65%。
市场研究机构 IC Insights 指出在各类半导体功率器件组件中，未来增长最强劲的产品将是 MOSFET 与 IGBT 模块。
新洁能本次发行募集资金扣除发行费用后，将主要用于“超低能耗高可靠性半导体功率器件研发升级及产业化项目”“半导体功率器件封装测试生产线建设项目”“碳化硅宽禁带半导体功率器件研发及产业化项目”“研发中心建设项目”及“补充流动资金”。
对于公司的发展战略，新洁能董事长、总经理朱袁正先生在上市路演中表示：作为国内半导体功率器件领先企业，公司将专注于中高端半导体功率器件和模块的研发设计及销售。在保持MOSFET产品技术和市场优势基础上，公司将不断引进各类管理、技术、营销人才，构建高效、现代化的经营管理体系，进一步拓展MOSFET产品、重点深化IGBT产品，成为国内自主创新、技术领先、品质高端的自主品牌的优质企业。同时，公司将进一步加大研发投入，持续整合半导体功率器件封装测试环节垂直产业链，掌控先进半导体功率器件封装产线并布局SiC/GaN（碳化硅/氮化镓）宽禁带半导体功率器件，进一步强化企业核心竞争力，加快发展成为国际一流的半导体功率器件企业。
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